업계 첫 '하이케이 메탈 게이트' 공정을 적용한 DDR5 D램을 개발했다.

삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 DDR4 D램에 4단 TSV를 이용한 바 있다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 말했다.